由于英飞凌IGBT模块为MOSFET结构，IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄，

                            其击穿电压般达到20~30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。因此使用中要注意以下几点:

                                  1、在使用模块时，尽量不要用手触摸驱动端子部分，当必须要触摸模块端子时，要先将人体或衣服上的静电用

                            大电阻接地进行放电后，再触摸。

                                  2、在用导电材料连接模块驱动端子时，在配线未接好之前请先不要接上模块。

                                  3、尽量在底板良好接地的情况下操作。

                                  在应用中有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极大额定电压，但栅极连线的寄生电感和栅极与集电极间的电

                            容耦合，也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此，通常采用双绞线来传送驱动信号，以减少寄生电感。在栅极连线

                            中串联小电阻也可以抑制振荡电压。

                                  此外，在栅极—发射极间开路时，若在集电极与发射极间加上电压，则随着集电极电位的变化，由于集电极有漏

                            电流流过，栅极电位升高，集电极则有电流流过。这时，如果集电极与发射极间存在高电压，则有可能使IGBT发热及

                            至损坏。在使用IGBT的场合，当栅极回路不正常或栅极回路损坏时(栅极处于开路状态)，若在主回路上加上电压，则

                            IGBT就会损坏，为防止此类故障，应在栅极与发射极之间串接一只10KQ左右的电阻。

                                  通过以上青岛coinmarketcap小编讲解，相信大家也都了解到了英飞凌IGBT模块的使用注意事项。想要了解更多关于模块

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